ブックタイトル実装技術11月号2015年特別編集版

概要

実装技術11月号2015年特別編集版

9■耐落下衝撃性と耐熱疲労性を両立する　『M770』　モバイル機器には耐落下衝撃性はもちろん、小型・高密度実装化に伴う内部温度上昇にも耐える耐熱疲労性も同時に求められている。『M770』は、Ag 含有量の最適化で柔軟性とバルク強度を確保し、添加元素で破断しやすい接合界面の化合物層を改質して両立を実現している（図1）。　 　　　　　　　　＜請求番号 L7009＞■ WLP 用・耐熱疲労性を重視した　『M758』　電気電子機器の高機能化に伴い、チップサイズの大型化が進み、基板との熱膨張係数差によるはんだ接合部への応力がより大きくなっている。『M758』はBi添加による固溶強化と、AgやCuの析出強化でバルク強度を確保し、Niの微量添加で接合界面の化合物層を改質してクラックを抑制した（図2）。　　 　　　　　　　　 ＜請求番号 L7010＞半導体実装用ソルダボール千住金属工業（株）PR■耐落下衝撃性を重視する『M61』　『M61』は、Ag量を低下することで軟材料化し落下衝撃での応力吸収力を高めバルク中のクラックを抑制、Niを添加することで落下時に応力が集中する接合界面のIMC組織と層厚を制御し耐落下衝撃性を高めた。また、IMC組織を形成するあらゆる表面処理材料に対応している（図3）。　　 ＜請求番号 L7011＞■WLP用・耐落下衝撃性を重視する　『M807』　近年、超高密度化や3D実装を実現するためにウエハに直接ソルダボールを実装するWLPが増えてきた。いっぽう、はんだ材料は、より高耐熱性化、耐落下衝撃性化が進み強固な材料になっており、破壊ははんだ部ではなくなってきている。今、各社のウエハデザインに最適なはんだ材料を専用に開発する時代となってきた。　『M807』はこうして開発された製品の一つである。　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　　 ＜請求番号 L7012＞図1　基板へのバンプ形成には、耐熱疲労性と耐落下衝撃性を両立した『M770』が適している図3　Ni の添加で脆い接合界面の拡散層を薄く微細平滑化し強度を確保図4　WLP 用はんだ材料マップ図2　ウエハへのバンプ形成には、接合界面を改質した『M758』が適している