ブックタイトル実装技術8月号2014年特別編集版

概要

実装技術8月号2014年特別編集版

38　今月号は、当社で開発中の半導体パッケージ基板用極薄無電解Ni/Pd/Auめっき技術について紹介する。1. 開発背景　　近年、電子機器の小型化・高機能化に伴い、高密度プリント配線板に半導体を実装したCSP（Chip Size Package）やBGA（Ball Grid Array）などのパッケージ基板が多く用いられている。これらの基板にワイヤボンディング性及びはんだ接合性を確保するため、無電解Ni/Auめっき（ENIG）や無電解Ni/Pd/Auめっき（ENEPIG）が最終表面処理として用いられている。ENIG・ENEPIGめっき皮膜において、Ni 層の標準的な厚みは3?5μmともっとも厚いため、端子間距離が20μm以下の場合ではパターン追従性・絶縁信頼性の低下が懸念される1）。この問題の解決方法としては、従来の接合信頼性を維持しつつNi 層を薄化することが挙げられる。そこで、本報告ではNi 層薄化時のENIG・ENEPIGプロセスにおけるワイヤボンディング性・はんだ接合性の評価結果を述べ、次いで、Ni層薄化時の接合信頼性の改善方法について検討した結果を報告する。2. 実験方法1.めっき処理工程　ENIG・ENEPIGプロセスのめっき処理工程を表1に示す。処理液にはいずれも市販品を使用した。試験基板としてはFR-4材に36μm厚の銅箔が接合された銅張積層板を用い、前処理を施した後、無電解Ni/Au および無電解Ni/Pd/Auめっき処理を行った。ENIG・ENEPIGプロセスとも無電解Ni（株）クオルテック / 大矢　怜史半導体パッケージ基板用極薄無電解Ni/Pd/Auめっき表1　めっき処理工程表3　はんだボール実装条件＆試験条件表2　ワイヤボンディング条件＆試験条件