ニュースリリース

三菱電機株式会社は、次世代データセンター向け800Gbps、1.6Tbps光トランシーバー^※1に搭載される光デバイスにおいて、従来の当社100Gbps製品と比べて2倍の高速動作を実現した「200Gbps（112Gbaud^※2 PAM4^※3）EML^※4チップ」を開発しました。

本開発成果の詳細は、「Optical Fiber Communication Conference and Exhibition（OFC）2023」（2023年3月5日～3月9日、於：米国・サンディエゴ）で発表します。

近年、動画配信サービスの普及や情報のクラウド化によるデータ通信量の爆発的増加を背景に、データセンター内でデータ通信経路を切り替えるスイッチを構成する光トランシーバーには、従来の400Gbpsから、800Gbpsや1.6Tbpsへの高速大容量化が求められています。

今回開発した「200Gbps EMLチップ」は、当社独自のハイブリッド導波路構造の採用により、200Gbpsの高速動作を実現しました。また、CWDM^※5の4波長に対応した4つのチップの信号を合波させることで1本の光ファイバーで800Gbpsの通信、さらにはチップを8つに増やすことにより1.6Tbpsの通信が可能となり、データセンターの高速大容量化に貢献します。