ブックタイトル実装技術12月号2017年

ページ
19/36

このページは 実装技術12月号2017年 の電子ブックに掲載されている19ページの概要です。
秒後に電子ブックの対象ページへ移動します。
「ブックを開く」ボタンをクリックすると今すぐブックを開きます。

概要

実装技術12月号2017年

173次元半導体関連の技術および業界動向半導体実装2受けて、IEEE(Institute of Electrical and ElectronicsEngineers : 米国電気電子学会[米国電気電子技術者協会])でのInternational Roadmap for Devices and Systems(IRDS)に装いを変えて行われている。これから先の展開を表わしていく上で、3次元実装が引き続き有力な実現手段の1つとして挙がっている。 ②…スマートフォンはもちろんデータセンター用のSSDs(Solid State Drives)はじめ3D NANDフラッシュメモリ市場が活況を呈しており、当面そして今後の半導体設備投資の中核を占めている。フラッシュメモリの大容量化に向けた層数がパラメータとして挙げられるが、DRAMを合わせて3次元実装技術の効用が発揮されるビジネス分野となっている。 ③…グローバルな半導体市場の視点では、中国の国家5ヶ年計画に沿った半導体業界の構築に向けて、M&A(企業の買収・合併)など積極的な攻勢が続けられているが、ここでも3DNANDフラッシュの工場、OSAT(Outsource Assemblyand Test)はじめ3 次元実装技術に1つの重きが置かれている。 ④…本年も9月に発表されたApple社の新型iPhoneであるが、TSMCのfan-out実装を用いたプロセッサが引き続き採用され、fan-out wafer level packages(FOWLP)および同社のIntegrated Fan-Out (InFO)技術が3 次元実装関連の注目キーワードとして定着している。 ⑤…貫通電極(TSV : Through Silicon Via)は、スーパーコンピュータ、超高速通信など高性能が最優先の分野では大方の前提になっている。主に経済性から、TSVを用いない様々なアプローチもさかんに行われている。 ⑥… System in Package(SiP)に向けたアプローチは一段と分野が広がっており、シリコンインターポーザ、TSVなどを駆使して機器の小型化、高性能化に向かう流れがますます強まってきている。IoT、スマートエレクトロニクスなど新分野の台頭が、大きく加速している状況がある。 当社は3次元実装分野の先鞭を切って、2004年後半から技術開発、2006 年から2007 年の技術ライセンス、2008年以降の広範な3 次元実装関連試作対応と、3 次元半導体のビジネス対応のステップを踏んで重ねてきている。本稿では、当社の試作サービスの現在にいたる取り組みの一端を示した後、ビジネス化の色合いを一層濃くして多彩な展開が急速に展開している3 次元半導体関連の業界のこの1 年の動きを切り口ごと時間軸の順にまとめている。   ザイキューブの試作対応開発課題   の取り組み TSV(貫通電極)、シリコンインタポーザをはじめ3 次元半導体実装技術について事業展開を行ってきている当社の概要を図1に、試作対応活動を行っている福岡の拠点を図2に示す。ここ数年事業の中軸になっているのが試作サービス対応となっており、顧客それぞれの仕様に基づく試作ものづくり、およびある工程についての部分加工を行うとともに、パターン設計、再配線設計など関連設計サービス対応と、幅を(株)ザイキューブ図1 図2